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SCT3030ARHR (新产品)

更新时间: 2024-10-01 11:16:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
17页 1405K
描述
AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3030ARHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed.

SCT3030ARHR (新产品) 数据手册

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SCT3030ARHR  
Automotive Grade N-channel SiC power MOSFET  
Datasheet  
lOutline  
TO-247-4L  
VDSS  
650V  
30mΩ  
70A  
RDS(on) (Typ.)  
*1  
ID  
PD  
262W  
(1) (2)(3)(4)  
lInner circuit  
lFeatures  
1) Qualified to AEC-Q101  
2) Low on-resistance  
3) Fast switching speed  
4) Fast reverse recovery  
5) Easy to parallel  
Please note Driver Source and Power Source are  
not exchangeable. Their exchange might lead to  
malfunction.  
6) Simple to drive  
7) Pb-free lead plating ; RoHS compliant  
lPackaging specifications  
Tube  
Packing  
lApplication  
Automobile  
Reel size (mm)  
Tape width (mm)  
Basic ordering unit (pcs)  
Taping code  
-
Switch mode power supplies  
-
30  
Type  
C15  
SCT3030AR  
Marking  
lAbsolute maximum ratings (Tvj = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Drain - Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
650  
Unit  
V
*1  
Tc = 25°C  
70  
A
ID  
Continuous Drain current  
*1  
Tc = 100°C  
49  
A
ID  
*2  
Pulsed Drain current (Tc = 25°C)  
Gate - Source voltage (DC)  
175  
A
ID,pulse  
VGSS  
-4 to +22  
-4 to +26  
0 / +18  
175  
V
*3  
Gate - Source surge voltage (tsurge < 300ns)  
Recommended drive voltage  
V
VGSS_surge  
*4  
V
VGS_op  
Tvj  
Virtual Junction temperature  
°C  
Tstg  
Range of storage temperature  
-55 to +175  
°C  
www.rohm.com  
©2022 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
TSZ2211114001  
TSQ50214-SCT3030ARHR  
9.Nov.2022 - Rev.002  
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