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SCS312AM

更新时间： 2024-11-05 11:14:11

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
9页	995K
描述
可降低开关损耗，可高速开关。

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SCS312AM 数据手册

SCS312AM

SiC Schottky Barrier Diode

Datasheet

lOutline

TO-220FM

V_R

I_F

650V

12A

Q_C

28nC

lFeatures

1) Shorter recovery time

lInner circuit

2) Reduced temperature dependence

3) High-speed switching possible

4) High surge current capability

(1) Cathode

(2) Anode

lPackaging specifications

Packaging

Tube

Reel size (mm)

lApplications

・PFC Boost Topology

Tape width (mm)

Type

・Secondary Side Rectification

・Data Center

Basic ordering unit (pcs)

Packing code

・PV Power Conditioners

Marking

SCS312AM

lAbsolute maximum ratings (T_vj=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Symbol

V_RM

V_R

Value

650

Unit

(T =

I_F

Continuous forward current

80°C)

PW=10ms sinusoidal, T_vj=25°C

Surge non-

repetitive forward

current

PW=10ms sinusoidal, T_vj=150°C

I_FSM

PW=10ms square, T_vj=25°C

350

34*²

I_FRM

Repetitive peak forward current

A²s

T =25°C

1 ≦

≦ 10ms,

i²t value

∫i²dt

T =150°C

1 ≦

P_D

T_vj

Total power disspation

Virtual Junction temperature

Range of storage temperature

175

°C

T_stg

°C

-55 to +175

*1 Limited by maximum T_vjand for Max. R_thJC. *2 T_c=100°C, T_vj=150°C, Duty cycle=10% *3 T_c=25°C

www.rohm.com

TSZ22111・14・001

TSQ50230-SCS312AM

20.Nov.2022 - Rev.003

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