5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 2.24 | 应用： | FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.75 V | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值正向电流： | 240 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 40 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.05 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SBR20A200CTB | DIODES |
类似代替  |
Super Barrier Rectifier |
|
| SK3040CD2 | DIOTEC |
功能相似 |
Surface Mount Schottky Rectifier Diodes - Common Cathode |
|
| DSEP40-03AS | IXYS |
功能相似 |
HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBR40U200CTB-13 | DIODES |
获取价格 |
40A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U200CTB-13-G | DIODES |
获取价格 |
40A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U200CTB-G | DIODES |
获取价格 |
40A SBR® SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U200CTBQ | DIODES |
获取价格 |
40A SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U200CTF | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220 |
|
| SBR40U200CT-G | DIODES |
获取价格 |
40A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U200CTI | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 40A, 200V V(RRM), Silicon, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, |
|
| SBR40U300CT | DIODES |
获取价格 |
40A SBR㈢ Super Barrier Rectifier |
|
| SBR40U300CTB | DIODES |
获取价格 |
40A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
| SBR40U300CTB-13 | DIODES |
获取价格 |
40A SBR SUPER BARRIER RECTIFIER |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
