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SBR05M100BLP-7

更新时间： 2024-02-13 23:57:10
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 94K
描述
SUPER BARRIER RECTIFIER

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SBR05M100BLP-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：S-PDSO-N4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.69最小击穿电压：100 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-30 代码：S-PDSO-N4JESD-609代码：e4
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：8 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.56 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SBR05M100BLP-7 数据手册

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SBR05M100BLP  
0.5A SBR® BRIDGE  
SUPER BARRIER RECTIFIER  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Leakage Current  
•
•
Case: DFN3030-4  
Case Material: Molded Plastic “Green” Molding Compound,  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish – NiPdAu Over Copper Lead Frame,  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.02 grams (approximate)  
Excellent High Temperature Stability  
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
Soft, Fast Switching Capability  
150ºC Operating Junction Temperature  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 1)  
“Green” Device (Note 4)  
•
•
•
•
•
•
N/C  
-
1
2
4
3
1
2
4
~
+
3
~
Top View  
Device Schematic  
Top View  
Pin Configuration  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VRM  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
100  
V
RMS Reverse Voltage  
70  
V
VR(RMS)  
IO  
Average Rectified Output Current  
500  
mA  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (Per Diode)  
8
A
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 2)  
Symbol  
PD  
Typ  
-
-
Max  
0.56  
222  
Unit  
W
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
°C/W  
Rθ  
Rθ  
JA  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
-
149  
°C/W  
°C  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
Reverse Breakdown Voltage (Note 4)  
100  
-
-
V
V(BR)R  
IR = 250 μA  
IF = 0.25A, TJ = 25ºC  
IF = 0.5A, TJ = 25ºC  
IF = 0.5A, TJ = 125ºC  
VR = 100V, TJ = 25ºC  
VR = 100V, TJ = 125ºC  
0.54  
0.67  
0.56  
0.60  
0.73  
0.63  
Forward Voltage (Per Diode)  
-
-
V
VF  
IR  
0.3  
32  
25  
250  
Reverse Current (Note 4) (Per Diode)  
µA  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.  
2. FR-4 PCB, 2 oz. Copper, minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Polymide PCB, 2 oz. copper; minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
4. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
SBR05M100BLP  
1 of 4  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
Document number: DS31109 Rev. 8 - 2  
1234

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