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SBR05M60BLP-7

更新时间： 2024-11-29 11:45:59
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美台 - DIODES /
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4页 87K
描述
SUPER BARRIER RECTIFIER

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SBR05M60BLP-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：R-PDSO-N4针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.72其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压：60 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.42 VJESD-30 代码：R-PDSO-N4
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：8 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：60 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

SBR05M60BLP-7 数据手册

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SBR05M60BLP  
0.5A SBR® BRIDGE  
SUPER BARRIER RECTIFIER  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Leakage Current  
•
•
Case: DFN3030-4  
Case Material: Molded Plastic “Green” Molding Compound,  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish – NiPdAu Over Copper Lead Frame,  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.02 grams (approximate)  
Excellent High Temperature Stability  
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
Soft, Fast Switching Capability  
150ºC Operating Junction Temperature  
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 1)  
“Green” Device (Note 3)  
•
•
•
•
•
•
N/C  
1
2
1
4
3
4
3
2
Top View  
Device Schematic  
Top View  
Pin Configuration  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
VRRM  
VRWM  
VRM  
Value  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
60  
V
Average Rectified Output Current  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (Per Diode)  
500  
8
mA  
A
IO  
IFSM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
Typ  
215  
Max  
-
Unit  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IF = 0.25A, TJ = 25ºC  
IF = 0.5A, TJ = 25ºC  
IF = 0.5A, TJ = 125ºC  
-
0.42  
0.49  
0.46  
Forward Voltage (Per Diode)  
-
0.43  
0.40  
V
VF  
V
R = 60V, TJ = 25ºC  
17  
2.8  
100  
20  
µA  
mA  
Reverse Current (Note 4) (Per Diode)  
-
IR  
VR = 60V, TJ = 125ºC  
Notes:  
1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.  
2. Polymide PCB, 2 oz. copper; minimum recommended pad layout per http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
SBR05M60BLP  
1 of 4  
www.diodes.com  
June 2010  
© Diodes Incorporated  
Document number: DS31771 Rev. 2 - 2  
1234

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