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SBR07U20LPS-7

更新时间： 2024-02-17 03:12:22
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美台 - DIODES /
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3页 96K
描述
0.7A SBR® SURFACE MOUNT SUPER BARRIER RECTIFIER

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SBR07U20LPS-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：GREEN, PLASTIC, DFN1006H4-2, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.7配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.38 VJESD-30 代码：R-PBCC-N2
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：7 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：0.7 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBR07U20LPS-7 数据手册

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SBR07U20LPS  
0.7A SBR®  
SURFACE MOUNT SUPER BARRIER RECTIFIER  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Forward Voltage Drop  
•
•
Case: DFN1006H4-2  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: Cathode Dot  
Terminals: Finish - NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 2  
Ordering Information: See Page 2  
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Superior Reverse Avalanche Capability  
Patented Super Barrier Rectifier Technology  
Soft, Fast Switching Capability  
150ºC Operating Junction Temperature  
Lead Free by Design, RoHS Compliant (Note 1)  
“Green” Device (Note 2)  
•
•
•
•
•
•
Bottom View  
Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitance load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VRM  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
20  
V
RMS Reverse Voltage  
14  
V
VR(RMS)  
IO  
Average Rectified Output Current (See Figure 1)  
700  
mA  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
Single Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load  
7
A
IFSM  
Thermal Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Maximum Thermal Resistance (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
Symbol  
Rθ  
Value  
224  
Unit  
ºC/W  
ºC  
JA  
-65 to +150  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @T = 25°C unless otherwise specified  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
IR = 50µA  
Reverse Breakdown Voltage (Note 4)  
20  
-
-
V
V(BR)R  
IF = 0.1A, Tj = 25ºC  
IF = 0.5A, Tj = 25ºC  
IF = 0.7A, Tj = 25ºC  
IF = 0.7A, Tj = 125ºC  
0.34  
0.46  
0.51  
0.48  
0.38  
0.50  
0.55  
0.51  
Forward Voltage Drop  
-
-
V
VF  
6
1.5  
50  
5
µA  
mA  
VR = 20V, Tj = 25ºC  
VR = 20V, Tj = 150ºC  
Leakage Current (Note 4)  
IR  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 substrate. 2” x 2” 2oz. Copper, single sided PCB board.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
SBR is a registered trademark of Diodes Incorporated.  
SBR07U20LPS  
1 of 3  
www.diodes.com  
January 2008  
© Diodes Incorporated  
Document number: DS31358 Rev. 2 - 2  
123

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