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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL2030ACT{TUBE}
SBL2030ACT{TUBE} PDF预览

SBL2030ACT{TUBE}

更新时间： 2024-09-15 12:58:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效局域网
页数 文件大小 规格书
3页 69K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 30V V(RRM), Silicon

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SBL2030ACT{TUBE} 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ANODE配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：30 V最大反向电流：1000 µA
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：MATTE TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SBL2030ACT{TUBE} 数据手册

 浏览型号SBL2030ACT{TUBE}的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL2030ACT{TUBE}的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SBL2030CT SBL2035CT SBL2040CT SBL2045CT SBL2050CT SBL2060CT  
SBL2030CT - SBL2060CT  
20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
TO-220AB  
Min  
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
15.75  
10.40  
3.43  
6.40  
3.93  
14.27  
2.70  
0.93  
3.78  
4.82  
1.39  
0.50  
2.79  
·
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
L
14.48  
10.00  
2.54  
B
M
High Current Capability and Low Forward Voltage Drop  
C
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
D
E
K
5.90  
A
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
2.80  
G
H
J
12.70  
2.40  
1
2
3
Mechanical Data  
·
·
Case: TO-220AB  
0.69  
G
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
N
K
L
3.54  
4.07  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Polarity: As Marked on Body  
M
N
P
1.15  
H
H
P
0.30  
Pin 1 +  
Pin 2 -  
Pin 3 +  
+
Terminals: Finish – Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
2.04  
Case  
·
·
Marking: Type Number  
All Dimensions in mm  
Weight: 2.24 grams (approx.)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
SBL  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
2030CT 2035CT 2040CT 2045CT 2050CT 2060CT  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
20  
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
250  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage Drop  
@ IF = 10A, TC = 25°C  
0.55  
0.75  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC 25°C  
=
1.0  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
650  
2.8  
pF  
°C/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23015 Rev. 7 - 2  
1 of 3  
SBL2030CT-SBL2060CT  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBL2030ACT-A DIODES

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