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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SBC817-25LT1G
SBC817-25LT1G PDF预览

SBC817-25LT1G

更新时间： 2024-09-26 11:01:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 114K
描述
NPN 双极晶体管

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SBC817-25LT1G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.49
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
参考标准：AEC-Q101子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

SBC817-25LT1G 数据手册

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BC817-16LT1G,  
BC817-25LT1G,  
BC817-40LT1G  
General Purpose  
Transistors  
http://onsemi.com  
NPN Silicon  
COLLECTOR  
3
Features  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
1
Compliant  
BASE  
2
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
V
Collector − Emitter Voltage  
Collector − Base Voltage  
Emitter − Base Voltage  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
3
50  
V
5.0  
V
1
2
Collector Current − Continuous  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
I
500  
mAdc  
C
SOT−23  
CASE 318  
STYLE 6  
Symbol  
Max  
Unit  
Total Device Dissipation FR−5 Board,  
P
D
(Note 1) T = 25°C  
225  
1.8  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance,  
R
556  
°C/W  
q
JA  
Junction−to−Ambient  
Total Device Dissipation  
P
D
6x M G  
Alumina Substrate, (Note 2)  
G
T = 25°C  
300  
2.4  
mW  
mW/°C  
A
Derate above 25°C  
1
Thermal Resistance,  
R
417  
°C/W  
q
JA  
6x = Device Code  
x = A, B, or C  
Junction−to−Ambient  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to +150  
°C  
M
= Date Code*  
J
stg  
G
= Pb−Free Package  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
(Note: Microdot may be in either location)  
*Date Code orientation and/or overbar may  
vary depending upon manufacturing location.  
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
October, 2010 − Rev. 11  
BC817−16LT1/D  
 
1234567...10

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SBC817-25LT1G 替代型号

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SBC817-25LT3G ONSEMI

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BC817-25LT3G ONSEMI

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SBC817-25LT3 ONSEMI

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 		500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
SBC817-25LT3G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors NPN Silicon Colle
SBC817-40L ONSEMI

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 		General Purpose Transistors NPN Silicon Colle
SBC817-40LT1 ONSEMI

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 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
SBC817-40LT1G GOOD-ARK

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
SBC817-40LT1G ONSEMI

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 		General Purpose Transistors NPN Silicon Colle
SBC817-40LT3 ONSEMI

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 		General Purpose Transistors(NPN Silicon)
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