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SB3100

更新时间： 2024-01-13 08:38:09
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美台 - DIODES 整流二极管瞄准线功效
页数 文件大小 规格书
2页 63K
描述
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB3100 技术参数

生命周期：Active包装说明：DO-27, 2 PIN
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.11
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.85 VJEDEC-95代码：DO-201AD
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：80 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向电流：100 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SB3100 数据手册

 浏览型号SB3100的Datasheet PDF文件第2页 
SB370 - SB3100  
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Capability  
High Current Capability and Low Forward  
Voltage Drop  
A
B
A
·
·
Surge Overload Rating to 80A Peak  
C
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
D
DO-201AD  
Min  
·
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
Dim  
A
Max  
¾
25.40  
7.20  
Mechanical Data  
B
9.50  
1.30  
5.30  
C
1.20  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
D
4.80  
All Dimensions in mm  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Weight: 1.1 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB370  
70  
SB380  
80  
SB390  
90  
SB3100  
100  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
49  
56  
63  
70  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
3.0  
@ TL = 80°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
80  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
0.79  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
0.5  
20  
mA  
@ TA = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
250  
20  
pF  
K/W  
°C  
RqJA  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Measured at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30134 Rev. 2 - 2  
1 of 2  
SB370-SB3100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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