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SB120E

更新时间： 2024-11-15 08:54:11
品牌 Logo 应用领域
海湾 - GULFSEMI 二极管瞄准线
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2页 95K
描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER VOLTAGE: 20 TO 60V CURRENT: 1.0A

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SB120E 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.61Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大重复峰值反向电压：20 V表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

SB120E 数据手册

 浏览型号SB120E的Datasheet PDF文件第2页 
SB120E THRU SB160E  
SCHOTTKY BARRIER  
RECTIFIER  
VOLTAGE: 20 TO 60V  
CURRENT: 1.0A  
A-405  
FEATURE  
High current capability, Low forward voltage drop  
Low power loss, high efficiency  
High surge capability  
High temperature soldering guaranteed  
250°C /10sec/0.375" lead length at 5 lbs tension  
MECHANICAL DATA  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Case: Molded with UL-94 Class V-0 recognized Flame  
Retardant Epoxy  
Polarity: color band denotes cathode  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SYMBOL  
SB  
120E  
20  
SB  
130E  
30  
SB  
140E  
SB  
150E  
SB  
160E  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Vrrm  
Vrms  
Vdc  
40  
28  
40  
50  
35  
50  
60  
42  
60  
V
V
V
14  
20  
21  
30  
Maximum DC blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8" lead length  
If(av)  
1.0  
A
Peak Forward Surge Current 8.3ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
Ifsm  
Vf  
40.0  
A
V
0.5  
0.7  
1.0  
10.0  
110.0  
50.0  
mA  
mA  
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =100°C  
Ir  
Typical Junction Capacitance  
Typical Thermal Resistance  
(Note 1)  
(Note 2)  
Cj  
R(ja)  
Tj  
pF  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
-65 to +125  
-65 to +150  
Tstg  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc  
2. Thermal Resistance from Junction to Ambient at 0.5" lead length, vertical P.C. Board Mounted 1  
Rev.A5  
www.gulfsemi.com  
12

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