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SB120-E3

更新时间： 2024-02-25 20:50:53

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威世 - VISHAY		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	302K
描述
DIODE 1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode

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SB120-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-41
包装说明：	O-PALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.48 V	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	20 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	Base Number Matches：	1

SB120-E3 数据手册

SB120 thru SB160

Vishay General Semiconductor

Schottky Barrier Rectifier

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

1.0 A

20 V to 60 V

50 A

V_F

0.48 V, 0.65 V

125 °C, 150 °C

T_jmax.

DO-204AL (DO-41)

Features

Typical Applications

• Guardring for overvoltage protection

• Very small conduction losses

• Extremely fast switching

For use in low voltage high frequency inverters, free

wheeling, dc-to-dc converters, and polarity protection

applications

• Low forward voltage drop

Mechanical Data

Case: DO-204AL (DO-41)

Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

• High forward surge capability

• High frequency operation

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

E3 suffix for commercial grade

Polarity: Color band denotes the cathode end

Maximum Ratings

T_A= 25 °C unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RRM

SB120

SB130

SB140

SB150

SB160

Unit

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RMS

V_DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current at

0.375" (9.5 mm) lead length (See Fig. 1)

I_F(AV)

1.0

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

I_FSM

Voltage rate of change (rated V_R)

Operating junction temperature range

Storage temperature range

dv/dt

T_J

10000

V/µs

°C

- 65 to + 125

- 65 to + 150

T_STG

- 65 to + 150

°C

Document Number 88715

14-Jul-05

www.vishay.com

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与SB120-E3相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SB120-E3/73	VISHAY	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-204AL, ROHS COMPLIANT, P	获取价格
SB120E-G	COMCHIP	Low VF/ESD Leaded Schottky Barrier Rectifiers	获取价格
SB120ET-G	COMCHIP	Rectifier Diode,	获取价格
SB120-G	COMCHIP	Leaded Schottky Barrier Rectifiers	获取价格
SB120G-SMA-R	UTC	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SB120G-Z41-B	UTC	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格