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SB120S

更新时间： 2024-02-08 00:30:21

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顺烨 - SHUNYE		二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB120S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DO-41, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.61
其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-204AL
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	20 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

SB120S 数据手册

SB120S THRU SB1B0S

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 1.0 Ampere

A-405

FEATURES

The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

1.0 (25.4)

MIN.

Metal silicon junction,majority carrier conduction

Low power loss,high efficiency

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

DIA.

High forward surge current capability

High temperature soldering guaranteed:

250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,

5 lbs. (2.3kg) tension

0.205 (5.2)

0.160(4.1)

1.0 (25.4)

MIN.

MECHANICAL DATA

0.025 (0.65)

0.021 (0.55)

DIA.

Case: JEDEC A-401 molded plastic body

Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Dimensions in inches and (millimeters)

Polarity: Color band denotes cathode end

Mounting Position: Any

Weight:0.008 ounce, 0.23 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

SB SB

SB SB SB SB SB

120S 130S 140S 150S 160S

SYMBOLS

UNITS

170S 180S 190S 1B0S

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

VOLTS

20 30 40 50 60 70 80

14 21 28 35 42 49 56

20 30 40 50 60 70 80

90 100

63 70

90 100

V^RRM

V^RMS

V^DC

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

0.375”(9.5mm) lead length(see fig.1)

Peak forward surge current

I^(AV)

1.0

Amp

IFSM

40.0

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Amps

V^F

I^R

0.55

110

0.70

0.5

0.85

Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A

Volts

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

T^A=25 C

TA=100 C

5.0

10.0

Typical junction capacitance (NOTE 1)

C^J

Rθ^JA

T^J,

C/W

Typical thermal resistance (NOTE 2)

Operating junction temperature range

50.0

-65 to +150

-65 to +125

Storage temperature range

T^STG

-65 to +150

Note:1.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.

2.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375”(9.5mm)lead length,P.C.B. mounted

www.shunyegroup.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SB120S_04	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
SB120S_09	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
SB120SH	PANJIT	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS	获取价格
SB120-T	DIODES	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SB120-T3	WTE	1.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER	获取价格
SB120-T3-LF	WTE	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLAS	获取价格

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