S9014-C-BP

更新时间： 2024-11-10 12:59:11

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美微科 - MCC		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	211K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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S9014-C-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

S9014-C-BP 数据手册

M C C

S9014-B

S9014-C

S9014-D

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.4Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current 0.1A

NPN Silicon

Transistors

Collector-base Voltage 50V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking : S9014

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

TO-92

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =0.1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

(V_CB=50Vdc, I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V_CE=35Vdc, I_B=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=3.0Vdc, I_C=0)

0.1

uAdc

I_CEO

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

h_FE

DC Current Gain

---

1000

0.3

---

Vdc

(I =1.0mAdc, V_CE=5.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =5.0mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

(I =100mAdc, I =5.0mAdc)

1.0

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

f_T

Transistor Frequency

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=30MHz)

150

---

MHz

INCHES

DIM

MIN

.170

.550

.010

.130

.096

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

CLASSIFICATION OF HFE

Rank

Range

100-300

200-600

400-1000

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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