Datasheet > S6065K81

S6065K81

更新时间： 2024-11-01 15:50:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
8页	183K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 65A I(T)RMS, 41000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-218AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

S6065K81 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-218AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.15	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	500 V/us	最大直流栅极触发电流：	50 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	80 mA
JEDEC-95代码：	TO-218AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	最大漏电流：	3 mA
湿度敏感等级：	2	通态非重复峰值电流：	950 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	41000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	65 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

S6065K81 数据手册

Teccor^®brandThyristors

65 / 70 Amp Standard SCRs

Sxx65x & Sxx70x Series

Description

Excellent unidirectional switches for phase control

applications such as heating and motor speed controls.

Standard phase control SCRs are triggered with few

milliamperes of current at less than 1.5V potential.

Features & Beneﬁts

tꢀ

3P)4ꢀDPNQMJBOU

tꢀ

7PMUBHFꢀDBQBCJMJUZꢀVQꢀ

to 1000 V

(MBTTꢀoꢀQBTTJWBUFEꢀ

junctions

tꢀ

950 A

4VSHFꢀDBQBCJMJUZꢀVQꢀUPꢀ

Applications

Agency Approval

Typical applications are AC solid-state switches, industrial

power tools, exercise equipment, white goods and

commercial appliances.

Agency

Agency File Number

J & K Packages: E71639

Internally constructed isolated packages are offered for

ease of heat sinking with highest isolation voltage.

Main Features

Schematic Symbol

Symbol

I_T(RMS)

Value

65 & 70

400 to 1000

Unit

V_DRM/V_RRM

I_GT

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

RMS on-state current

Test Conditions

Value

Unit

Sxx65J

Sxx65K

T_C= 75°C

I_T(RMS)

Sxx70W

T_C= 80°C

single half cycle; f = 50Hz;

800

T (initial) = 25°C

I_TSM

Peak non-repetitive surge current

single half cycle; f = 60Hz;

950

T (initial) = 25°C

I²t

I²t Value for fusing

t_p= 8.3 ms

3745

200

A²s

di/dt

Critical rate of rise of on-state current

A/μs

f = 60Hz ;T = 125°C

T = 125°C

P_W= ꢀS

I_GM

Peak gate current

5.0

P_G(AV)

T_stg

Average gate power dissipation

Storage temperature range

1.0

°C

T = 125°C

-40 to 150

-40 to 125

Operating junction temperature range

Sxx65x & Sxx70x Series

301

Revised: July 9, 2008

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Please refer to http://www.littelfuse.com for current information.

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与S6065K81相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S6065KTP	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
S6065KTP81	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
S6065P	TECCOR	获取价格	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE
S6065W81	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
S607	POWERBOX	获取价格	350 WATTS DC/DC SINGLE OUTPUT
S6070JTP	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
S6070W	TECCOR	获取价格	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE
S6070W	LITTELFUSE	获取价格	SCRs (1 A to 70 A)
S6070WTP	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
S6070WTP81	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier

与S6065K81相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

4
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

2
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S6065K81

S6065K81 技术参数

S6065K81 数据手册

与S6065K81相关器件

与S6065K81相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S6065K81

S6065K81 技术参数

S6065K81 数据手册

与S6065K81相关器件

与S6065K81相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？