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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-214 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-C3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.2 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 10 mA | JESD-30 代码： | R-PDSO-C3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S2N1RP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, 3 LEAD |
|
| S2N2658 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
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| S2N2658-1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-5 |
|
| S2N2880 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
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| S2N2880-1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
|
| S2N3749 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
|
| S2N3749-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-111 |
|
| S2N4150 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
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| S2N4150-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
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| S2N4863 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-5 |
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