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S29GL128S90TFI010

更新时间： 2024-01-16 08:47:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
108页 1535K
描述
Flash, 16MX8, 90ns, PDSO56, PACKAGE

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S29GL128S90TFI010 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP1包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.38最长访问时间：90 ns
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G56
长度：18.4 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：128
端子数量：56字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSSOP封装等效代码：TSSOP56,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：16 words并行/串行：PARALLEL
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：64K
最大待机电流：0.0001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

S29GL128S90TFI010 数据手册

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S29GL01GS/S29GL512S  
S29GL256S/S29GL128S  
1-Gbit (128 Mbyte)/512-Mbit (64 Mbyte)/  
256-Mbit (32 Mbyte)/128-Mbit (16 Mbyte),  
3.0 V, GL-S Flash Memory  
General Description  
The Cypress® S29GL01G/512/256/128S are MirrorBit® Eclipse flash products fabricated on 65 nm process technology. These  
devices offer a fast page access time as fast as 15 ns with a corresponding random access time as fast as 90 ns. They feature a  
Write Buffer that allows a maximum of 256 words/512 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective  
programming time than standard programming algorithms. This makes these devices ideal for today’s embedded applications that  
require higher density, better performance and lower power consumption.  
Distinctive Characteristics  
CMOS 3.0 Volt Core with Versatile I/O  
65 nm MirrorBit Eclipse Technology  
Single supply (VCC) for read / program / erase (2.7V to 3.6V)  
Versatile I/O Feature  
Advanced Sector Protection (ASP)  
– Volatile and non-volatile protection methods for each  
sector  
Separate 1024-byte One Time Program (OTP) array with two  
lockable regions  
– Wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC  
x16 data bus  
Common Flash Interface (CFI) parameter table  
Temperature Range / Grade  
Asynchronous 32-byte Page read  
– Industrial (-40°C to +85°C)  
512-byte Programming Buffer  
– Industrial Plus(-40°C to +105°C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 3 (-40 °C to +85 °C)  
– Automotive, AEC-Q100 Grade 2 (-40 °C to +105 °C)  
100,000 Program / Erase Cycles  
20 Years Data Retention  
– Programming in Page multiples, up to a maximum of 512  
bytes  
Single word and multiple program on same word options  
Automatic Error Checking and Correction (ECC) – internal  
hardware ECC with single bit error correction  
Packaging Options  
Sector Erase  
– 56-pin TSOP  
– Uniform 128-kbyte sectors  
– 64-ball LAA Fortified BGA, 13 mm x 11 mm  
– 64-ball LAE Fortified BGA, 9 mm x 9 mm  
– 56-ball VBU Fortified BGA, 9 mm x 7 mm  
Suspend and Resume commands for Program and Erase  
operations  
Status Register, Data Polling, and Ready/Busy pin methods  
to determine device status  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-98285 Rev. *O  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised September 21, 2017  
 
 
1234567...108

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S29GL128S90TFI010 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S29GL128S90TFI020 CYPRESS

完全替代

 Flash, 16MX8, 90ns, PDSO56, PACKAGE

与S29GL128S90TFI010相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S29GL128S90TFI013 SPANSION

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 		Flash, 16MX8, 90ns, PDSO56, LEAD FREE, PACKAGE
S29GL128S90TFI013 INFINEON

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 		High Performance Page Mode
S29GL128S90TFI020 CYPRESS

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 		Flash, 16MX8, 90ns, PDSO56, PACKAGE
S29GL128S90TFI020 INFINEON

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 		High Performance Page Mode
S29GL128S90TFI023 INFINEON

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 		High Performance Page Mode
S29GL256M SPANSION

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 		MirrorBit Flash Family
S29GL256M10FAIR1 SPANSION

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 		Flash, 16MX16, 100ns, PBGA64,
S29GL256M10FAIR10 SPANSION

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 		3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10FAIR12 SPANSION

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 		3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology
S29GL256M10FAIR13 SPANSION

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 		3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology

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