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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.08 |
| 外壳连接： | ANODE | 标称电路换相断开时间： | 35 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 175 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 15 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 30 mA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 8 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S2008F121 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| S2008F123 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 2 |
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| S2008F12RP | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| S2008F12V | TECCOR |
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Thyristor Product Catalog |
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| S2008F14 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| S2008F141 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| S2008F143 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, 3 |
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| S2008F41 | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, T |
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| S2008F43 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-202AB, T |
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| S2008FS21 | LITTELFUSE |
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Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
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