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S1B

更新时间： 2024-01-14 18:14:56
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DCCOM /
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2页 427K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER

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S1B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.01
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

S1B 数据手册

 浏览型号S1B的Datasheet PDF文件第2页 
S1A  
THRU  
S1M  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
RECTIFIER SPECIALISTS  
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts  
CURRENT - 1.0 Ampere  
FEATURES  
* ldeal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Glass passivated junction  
SMB ( DO-214AA )  
.083(2.11)  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
.075(1.91)  
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
*Terminals: Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
.185(4.70)  
.160(4.06)  
* Polarity: As marked  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.093 gram  
.060(1.52)  
.030(0.76)  
.220(5.59)  
.200(5.08)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
S1A  
50  
S1B  
100  
70  
S1D  
200  
140  
200  
S1G  
400  
280  
400  
S1J  
600  
420  
600  
S1K  
800  
560  
800  
S1M  
1000  
700  
V
V
RRM  
RMS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Volts  
35  
50  
100  
1000  
V
DC  
O
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
1.0  
Amps  
at TA = 75 o  
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
I
FSM  
30  
Amps  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
1.1  
V
F
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
5.0  
100  
2.5  
uAmps  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
trr  
RθJL  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)  
Typical Thermaesistance (Note 2)  
uSec  
0C/W  
pF  
12  
30  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to + 175  
NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2. Thermal Resistance (Junction to Ambient), 0.2x0.2in2 (5X5mm2 ) copper pads to each terminal.  
3. Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
342  
EXIT  
BACK  
NEXT  
12

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