5秒后页面跳转
RSX071VYM30FH PDF预览

RSX071VYM30FH

更新时间: 2024-09-17 19:59:07
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1114K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.7A, 30V V(RRM), Silicon,

RSX071VYM30FH 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.68其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.7 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:30 V表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

RSX071VYM30FH 数据手册

 浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RSX071VYM30FH的Datasheet PDF文件第7页 
Schottky Barrier Diode  
RSX071VYM30FH  
Data Sheet  
AEC-Q101 Qualified  
lLand Size Figure (Unit : mm)  
1.1  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
General rectification  
+0.10  
-0.05  
0.17  
1.4±0.1  
+0.20  
-0.10  
0.60  
1.0±0.10  
0.8±0.05  
(1)  
lFeatures  
1) Small mold type  
(TUMD2M)  
TUMD2M  
0~0.1  
(2)  
lStructure  
(1)  
Cathode  
2) High reliability  
JEDEC : -  
ROHM : TUMD2M  
: Manufacture date and factory  
JEITA : -  
Low VF and low IR  
3)  
Anode  
(2)  
lConstruction  
lTaping Dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
Silicon epitaxial planar type  
+0.1  
4.0±0.1  
0.25±0.05  
Φ1.5  
-0  
Φ1.0+-00.2  
1.53±0.03  
0.9±0.08  
lAbsolute Maximum Ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
Unit  
VRM  
VR  
Io  
Duty0.5  
30  
30  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Reverse Voltage  
V
V
Direct Reverse Voltage  
Glass epoxy board mounted, 60Hz half sin Wave,  
resistive load, Tc=120°C Max.  
60Hz half sin wave,  
Average Forward Rectified Current  
Non-repetitive Forward Current Surge Peak  
0.7  
5
A
IFSM  
Tj  
A
Non-repetitive at Ta=25°C, 1cycle  
-
-
150  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
°C  
Tstg  
-40 to +150 °C  
lElectrical Characteristics (Tj = 25°C)  
Parameter  
Forward Voltage  
Conditions  
IF=0.7A  
Symbol  
Min. Typ. Max. Unit  
VF  
IR  
-
-
0.39 0.42  
40 200  
V
VR=30V  
Reverse Current  
mA  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2015.11 - Rev.A  
1/4  

与RSX071VYM30FH相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RSX078BGE2S (新产品) ROHM

获取价格

RSX078BGE2S是一款超低IR的肖特基势垒二极管,非常适用于开关电源应用。
RSX078BM2S (新产品) ROHM

获取价格

RSX078BM2S是一款超低IR的肖特基势垒二极管,非常适用于开关电源应用。
RSX078BM2SFH (新产品) ROHM

获取价格

RSX078BM2SFH是一款超低IR的肖特基势垒二极管,非常适用于开关电源应用。车规级高
RSX078BM2SFHH ROHM

获取价格

RSX078BM2SFHH is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching
RSX078BM2SFNS ROHM

获取价格

RSX078BM2SFNS is a ultra low IR schottky barrier diode, suitable for Switching
RSX088LAP2S (新产品) ROHM

获取价格

RSX088LAP2S是一款超低IR的肖特基势垒二极管,非常适用于开关电源应用。
RSX1001T3 ROHM

获取价格

Schottky barrier diode
RSX1001T3_10 ROHM

获取价格

Schottky barrier diode
RSX1001T3_11 ROHM

获取价格

Schottky barrier diode
RSX101M-30 ROHM

获取价格

Shottky barrier diode