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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.84 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.47 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RSQ020N03 | ROHM |
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4V Drive Nch MOSFET |
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| RSQ020N03HZG | ROHM |
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RSQ020N03HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
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| RSQ020N03TR | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| RSQ025P03 | ROHM |
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DC-DC Converter (-30V, -2.5A) |
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| RSQ025P03FRATR | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.165ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| RSQ025P03HZG | ROHM |
获取价格 |
RSQ025P03HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
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| RSQ025P03HZGTR | ROHM |
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暂无描述 |
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| RSQ025P03TR | ROHM |
获取价格 |
暂无描述 |
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| RSQ030N08HZG | ROHM |
获取价格 |
RSQ030N08HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车 |
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| RSQ030P03 | ROHM |
获取价格 |
DC-DC Converter (−30V, −3A) |
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