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RSA6.1J4 PDF预览

RSA6.1J4

更新时间： 2024-11-20 22:23:31
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罗姆 - ROHM 瞬态抑制器二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 46K
描述
ESD Protection diode

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RSA6.1J4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-F5
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.33Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY最大击穿电压：7.2 V
最小击穿电压：6.1 V配置：COMMON ANODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-F5JESD-609代码：e2
最大非重复峰值反向功率耗散：80 W元件数量：4
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：6.6 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

RSA6.1J4 数据手册

 浏览型号RSA6.1J4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RSA6.1J4的Datasheet PDF文件第3页 
RSA6.1J4  
Diodes  
ESD Protection diode  
RSA 6.1J4  
zExternal dimensions (Units : mm)  
zApplication  
ESD protection  
+
1.6 0.1  
−
+
0.5 0.05  
−
+
(2)  
0.22 0.05  
−
(3)  
(1)  
zFeatures  
1) Ultra small mold type. (EMD5)  
2) High reliability.  
E 6 1  
0~0.1  
(4)  
0.5 0.5  
(5)  
+
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
0.13 0.05  
−
+
1.0 0.1  
−
(Each lead has same dimensions)  
ROHM : EMD5  
EMD5  
zCircuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Ppk  
Limits  
10  
Unit  
W
W
˚C  
˚C  
Peak pulse power-1 (tp=10×1000µs)  
Peak pulse power-2 (tp=8×20µs)  
Junction temperature  
Ppk  
80  
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
zElectrical characteristics (Ta=25°C) ∗ Rating of per diode.  
Parameter  
Zener voltage  
Symbol  
Min.  
6.10  
−
Typ.  
−
Max.  
7.20  
1
Unit  
V
Conditions  
VZ  
I
Z
=1mA  
Reverse current  
I
R
−
µA  
V
V
R
=3.0V  
=100mA  
=0V, f=1MHz  
Forward voltage  
Junction capacitance  
V
F
−
−
1.0  
−
I
F
Ct  
−
35  
pF  
V
R
Zener voltage (Vz) shall be measured at 40ms after loading current.  
Please pay attention to static electricity when handling.  
1/2  
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