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RSAC16CST2RA

更新时间： 2024-11-21 20:10:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 534K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, VMN2, 2 PIN

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RSAC16CST2RA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：R-PDSO-F2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：7.97其他特性：HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW CAPACITANCE
最大击穿电压：17.51 V最小击穿电压：16.49 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-F2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.1 W最大重复峰值反向电压：12 V
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

RSAC16CST2RA 数据手册

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Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode  
RSAC16CS  
Data Sheet  
lApplication  
lDimensions (Unit : mm)  
lLand size figure (Unit : mm)  
ESD Protection  
0.16±0.05  
0.55  
0.6±0.05  
lFeatures  
1) Ultra small mold type (VMN2)  
2) Ultra low Capacitance  
3) High reliability  
VMN2  
lStructure  
4) By chip-mounter,  
0.156  
automatic mounting is possible.  
0.37±0.03  
0.35±0.1  
ROHM : VMN2  
dot (year week factory)  
lConstruction  
lTaping specifications (Unit : mm)  
Silicon epitaxial planar  
f1.55  
0.2±0.05  
2±0.05  
4±0.1  
f0.5  
0.52  
2±0.05  
4.0±0.1  
0.7±0.05  
lAbsolute maximum ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Symbol  
Limits  
Unit  
mW  
°C  
P
Tj  
100  
150  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
lElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IZ=5mA  
VR=12V  
Symbol Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VZ  
IR  
Zener voltage  
16.49  
-
-
17.51  
0.1  
-
Reverse current  
-
-
mA  
pF  
Ct  
VR=0V, f=1MHz  
Capacitance between terminals  
0.3  
* Zener voltage (VZ) shall be measured at 40ms after loading current.  
* Electrical characteristic assurance is just only zener direction.  
www.rohm.com  
© 2014 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2014.11 - Rev.B  
1/4  
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