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RSA5MTF

更新时间： 2024-11-21 21:15:47

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		局域网光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	595K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PMDU, 2 PIN

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RSA5MTF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.77	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	7 V	最小击穿电压：	6.4 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散：	200 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

RSA5MTF 数据手册

RSA5MTF

Diodes

AEC-Q101 Qualified

ESD Protection Device (TVS)

RSA5MTF

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

ESD Protection

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDU)

2) High reliability

PMDU

zConstruction

0.9±0.1

Silicon epitaxial planar

0.8±0.1

ROHM : PMDU

zStructure

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

200

Symbol

Unit

Peak pulse power(tp=10×1000us)

Stand off power

Ppk

V_RMN

Junction temperature

Storage temperature

150

-55 to +150

℃

Tstg

zElectrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Breakdown voltage

Clamping voltage

Reverse current

Conditions

Symbol

VBR

Min.

Typ.

Max.

7.0

Unit

6.4

I_R=10.0mA

I_pp=21.7A

9.2

_RMN=5.0V

400

1/2

12 3

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