型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RS1E281BN | ROHM |
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RS1E281BN是具有低导通电阻、小型大功率封装的MOSFET。 | |
RS1E300GNTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
RS1E301GN | ROHM |
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RS1E301GN是采用大功率封装(HSOP8)、且具有低导通电阻特点的功率MOSFET。 | |
RS1E321GN | ROHM |
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RS1E321GN是采用大功率封装(HSOP8)、且具有低导通电阻特点的功率MOSFET。 | |
RS1E331MF115A00CE0 | HWE |
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小型铝电 | |
RS1E331MG125A00CE0 | HWE |
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小型铝电 | |
RS1E332ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 | |
RS1E332MM250A00CE0 | HWE |
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小型铝电 | |
RS1E350BN | ROHM |
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RS1E350BN是低导通电阻、小型大功率封装的MOSFET。 | |
RS1E350GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率 |