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RS1E350GN

更新时间： 2024-10-15 11:15:55

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	1584K
描述
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率MOSFET。根据用途备有小型、大功率、复合化的丰富产品阵容，可满足多样的市场需求。

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RS1E350GN 数据手册

RS1E350GN

ꢀꢀNch 30V 80A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

V_DSS

30V

1.76mΩ

±80A

R_DS(on)(Max.)

HSOP8

I_D

P_D

39W

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on - resistance

2) High power package (HSOP8)

3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

4) Halogen free

5) 100% Rg and UIS tested

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

330

llApplication

Tape width (mm)

Quantity (pcs)

Taping code

Marking

Type

Switching

2500

RS1E350GN

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

Unit

V_DSS

±80

T_c= 25°C

T_a= 25°C

I_D

Continuous drain current

I_D

±35

I_DP

Pulsed drain current

±140

±20

V_GSS

Gate - Source voltage

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

E_AS

℃

P_D

Power dissipation

P_D

3.0

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20190527 - Rev.004

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