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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | HSOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.94 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0028 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RS1E301GN | ROHM |
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RS1E301GN是采用大功率封装(HSOP8)、且具有低导通电阻特点的功率MOSFET。 |
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| RS1E321GN | ROHM |
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RS1E321GN是采用大功率封装(HSOP8)、且具有低导通电阻特点的功率MOSFET。 |
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| RS1E331MF115A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RS1E331MG125A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RS1E332ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RS1E332MM250A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RS1E350BN | ROHM |
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RS1E350BN是低导通电阻、小型大功率封装的MOSFET。 |
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| RS1E350GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| RS1E391MG125A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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| RS1E392ML300A00CE0 | HWE |
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小型铝电 |
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