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RN2421

更新时间： 2024-01-10 04:51:12
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
8页 334K
描述
PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS)

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RN2421 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-59包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.81其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：60
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz

RN2421 数据手册

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RN2421~RN2427  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2421,RN2422,RN2423,RN2424  
RN2425,RN2426,RN2427  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
Unit: mm  
l
l
l
l
l
l
High current type (I  
With built-in bias resistors  
Simplify circuit design  
= −800mA)  
C(MAX)  
Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
Low V  
CE (sat)  
Complementary to RN1421~RN1427  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN2421  
RN2422  
RN2423  
RN2424  
RN2425  
RN2426  
RN2427  
1
2.2  
4.7  
10  
1
2.2  
4.7  
10  
10  
10  
10  
0.47  
1
JEDEC  
JEITA  
―
SC-59  
2-3F1A  
2.2  
TOSHIBA  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Collector-Base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
RN2421~2427  
Collector-Emitter voltage  
RN2421~2424  
RN2425, 2426  
RN2427  
−10  
Emitter-Base voltage  
V
V
−5  
EBO  
−6  
Collector current  
I
−800  
200  
mA  
mW  
°C  
c
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
c
RN2421~2427  
T
150  
j
T
−55~150  
°C  
stg  
1
2001-11-29  
12345678

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RN2421 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTB113EKT146 ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTB113EK ROHM

功能相似

 Digital transistors (built-in resistors)

与RN2421相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2421(T5L,PP,F) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2421(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener
RN2421(TE85L,F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,800MA I(C),SC-59
RN2421(TE85L2) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener
RN242-1.4/02 ETC

获取价格

 		CHOKE 27MH 1.4A
RN242-1.4-02 ETC

获取价格

 		Current-compensated Chokes
RN242-1.4-02-27M Schaffner

获取价格

 		Current-compensated Chokes
RN242-1/02 ETC

获取价格

 		CHOKE 33MH 1A
RN242-1-02-33M Schaffner

获取价格

 		Current-compensated Chokes
RN2422 TOSHIBA

获取价格

 		PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPL

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