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RN2424(TE85L2)

更新时间： 2024-01-03 02:55:36

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	548K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2424(TE85L2) 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

RN2424(TE85L2) 数据手册

RN2421~RN2427

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2421,RN2422,RN2423,RN2424

RN2425,RN2426,RN2427

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

High current type (I

= −800mA)

C(MAX)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Low V

CE (sat)

Complementary to RN1421~RN1427

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2421

RN2422

RN2423

RN2424

RN2425

RN2426

RN2427

2.2

4.7

2.2

4.7

JEDEC

JEITA

―

0.47

SC-59

2-3F1A

2.2

TOSHIBA

Weight: 0.012 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-Base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

CBO

CEO

RN2421~2427

Collector-Emitter voltage

RN2421~2424

RN2425, 2426

RN2427

−10

Emitter-Base voltage

−5

EBO

−6

Collector current

−800

200

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2421~2427

150

stg

−55~150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2424(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener
RN242-4/02	ETC	获取价格	CHOKE 3.3MH 4A
RN242-4-02-3M3	Schaffner	获取价格	Current-compensated Chokes
RN-2424S	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Sigle Output
RN-2424S/H	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 24VIN 24VOUT
RN-2424S/HP	ETC	获取价格	DC DC CONVERTER 24V 1.25W
RN-2424S/P	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 24VIN 24VOUT
RN2425	TOSHIBA	获取价格	PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPL
RN2425(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener
RN2425(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 800 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, SC-59, 3 PIN, BIP Gener

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