5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN2116
RN2116 PDF预览

RN2116

更新时间： 2024-02-10 05:58:18
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
8页 269K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

RN2116 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：50
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN2116 数据手册

 浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第4页浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第5页浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第6页浏览型号RN2116的Datasheet PDF文件第7页 
                                                               
                                                               
RN2114~RN2118  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2114,RN2115,RN2116  
RN2117,RN2118  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
Unit: mm  
And Driver Circuit Applications  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN1114~RN1118  
Equivalent Circuit and Bias Resister Values  
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN2114  
RN2115  
RN2116  
RN2117  
RN2118  
1
10  
10  
10  
4.7  
10  
2.2  
4.7  
10  
47  
JEDEC  
―
―
EIAJ  
2−2H1A  
TOSHIBA  
Weight: 2.4mg  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
RN2114~2118  
Collector-emitter voltage  
RN2114  
RN2115  
RN2116  
RN2117  
RN2118  
−5  
−6  
Emitter-base voltage  
V
V
−7  
EBO  
−15  
−25  
Collector current  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
RN2114~2118  
T
150  
j
T
−55~150  
°C  
stg  
1
2001-06-07  
12345678

中文翻译

下载PDF

RN2116 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DDTA143XE-7 DIODES

类似代替

 PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
DTA143XETL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DDTA143XE-7-F DIODES

功能相似

 PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与RN2116相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2116(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN2116F TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, ESM, 2-2HA1A, 3 PIN, BIP Genera
RN2116FT(F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN2116MFV TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2116MFV(TL3PAV) TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2116MFV(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		Digital Transistors -50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
RN2117 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN2117(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SSM, 2-2H1A, 3 PIN, BIP General
RN2117FT(F) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-416VAR
RN2117MFV TOSHIBA

获取价格

 		Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver

与RN2116相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证