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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.79 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1610TE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN1610TE85N | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN1611 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Transistor Silicon Npn Epitaxial Type (PCT Process) |
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| RN1611(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, |
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| RN1611(TE85L,F) | TOSHIBA |
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PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),TSOP |
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| RN1611(TE85R) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SM6, 2-3N1A, 6 PIN, |
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| RN1611TE85L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN1611TE85N | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN1611TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
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| RN162PJ473CS | SAMSUNG |
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Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.0625W, 47000ohm, 50V, 5% +/-To |
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