5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, WPAK-8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0129 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-XDSO-N5 |
| JESD-609代码： | e4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 28 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK03B8DPA-00-J5A | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| RJK03B9DPA | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK03B9DPA_10 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK03B9DPA_13 | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| RJK03B9DPA-00-J53 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK03B9DPA-00-J5A | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| RJK03C0DPA | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK03C0DPA_10 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
| RJK03C0DPA_13 | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
|
| RJK03C0DPA-00-J53 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
