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RJK03B9DPA-00-J53

更新时间： 2024-11-19 06:07:59
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
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7页 117K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK03B9DPA-00-J53 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, WPAK-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A
最大漏极电流 (ID)：30 A最大漏源导通电阻：0.0151 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N5
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：5工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：120 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RJK03B9DPA-00-J53 数据手册

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RJK03B9DPA  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1791-0310  
Rev.3.10  
Apr 03, 2009  
Features  
•
•
•
•
•
High speed switching  
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 8.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V)  
Pb-free  
Halogen-free  
•
•
Outline  
RENESAS Package code: PWSN0008DA-A  
(Package name: WPAK)  
5
6
7 8  
D D D D  
8
4
7
6
5
1, 2, 3 Source  
4 Gate  
5, 6, 7, 8 Drain  
4
G
1
2
3
S
1
S S  
3
2
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
30  
Unit  
V
V
±20  
30  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
IDR  
120  
30  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
A
Note 2  
IAP  
8
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
6.4  
25  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
θch-c Note3  
Tch  
Channel to case thermal impedance  
Channel temperature  
5
°C/W  
°C  
°C  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω  
3. Tc = 25°C  
REJ03G1791-0310 Rev.3.10 Apr 03, 2009  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RJK03B9DPA-00-J5A RENESAS

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