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RD38F1020WYTQ1

更新时间： 2024-02-25 06:03:36
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 364K
描述
Memory Circuit, 2MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, SCSP-88

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RD38F1020WYTQ1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA,针数：88
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.83其他特性：SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16
JESD-30 代码：R-PBGA-B88JESD-609代码：e0
长度：10 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：88
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：2MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：1.95 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：TIN LEAD端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

RD38F1020WYTQ1 数据手册

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Intel® Wireless Flash Memory (W18 SCSP)  
32-Mbit W18 + 8-Mbit SRAM (38F1020W0YTQ1, 38F1020W0YBQ1)  
Datasheet  
Product Features  
■ Flash Architecture  
■ Flash Automation Suspend Operations  
— Erase Suspend to Program or Read  
— Program Suspend to Read  
— Flexible, Multi-Partition, Dual-Operation:  
Read-While-Write / Read-While-Erase  
— 8 Partitions, 4 Mbits each  
— 5 µs (typ) Program/Erase Suspend Latency  
— 7 Main Partitions, 8 Main Blocks each  
— 1 Parameter Partition, 8 Parameter + 7 Main  
Blocks  
— 32-KWord Main Blocks, 4-KWord  
Parameter Blocks  
■ Flash Software  
— Intel® Flash Data Integrator (Intel® FDI)  
Optimized  
— Common Flash Interface (CFI)  
■ SCSP Architecture  
— Top and Bottom Parameter Configuration  
— 32-Mbit Flash die + 8-Mbit SRAM die  
— Reduces Board Space Requirement  
— Simplifies PCB Design Complexity  
— Easy Migration to Future SCSP Devices  
■ Flash Performance  
— 65 ns Initial Access Speed  
— 25 ns Page-Mode Read Speed; 4-Word Page  
— 14 ns Burst-Mode Read Speed  
— 4-, 8-, 16- or Continuous-Word Burst Modes  
— Burst- and Page-Mode Reads in Parameter  
and Main Partitions  
■ SCSP Voltage  
— 1.7 V to 1.95 V V /V  
and S-V  
CC  
CC CCQ  
■ SCSP Packaging  
— 0.8 mm Ball-Pitch Intel® SCSP  
— Burst Suspend  
— Burst-Mode Reads can Traverse Partition  
— Area: 8x10 mm, Height: 1.2 mm max  
— 88-Ball (8 x 10 Matrix): 80 Active Balls with  
2 Support Balls at Each Corner  
Boundaries  
— Programmable WAIT Polarity  
— Enhanced Factory Programming: 3.1 µs/  
Word (typ)  
■ SRAM Architecture and Performance  
— 70 ns Access Time  
■ Flash Data Protection  
— Absolute Protection with VPP and WP#  
— Individual Dynamic Zero-Latency Block  
Locking  
— Low-Voltage Data Retention Mode  
■ Flash Quality and Reliability  
— Extended Temperature: –25 °C to +85 °C  
— Minimum 100,000 Block Erase Cycles  
— Intel® 0.13 µm ETOXTM VIII Process  
Technology  
— Individual Block Lock-Down  
— Erase/Program Lockout during Power  
Transitions  
■ Flash Protection Register  
— 64 Unique Device Identifier Bits  
— 64 User-Programmable OTP Bits  
This datasheet describes the key features of the Intel® Wireless Flash Memory (W18 SCSP) device.  
This device stacks a wireless flash memory device (W18) in combination with a low-power 8-Mbit  
SRAM device, into a versatile and compact Stacked Chip Scale Package (SCSP). The 32-Mbit W18  
+ 8-Mbit SRAM combination device described in this document provides a solution for  
high-performance, low-power, board-constrained memory applications. . Refer to the latest revision  
of the Intel® Wireless Flash Memory (W18) Datasheet (order number 290701) for flash device  
details not provided in this document.  
Notice: This document contains information available at the time of its release. The  
specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that  
you have the latest datasheet before finalizing a design.  
Order Number: 252635, Revision: 003-  
28 Jun 2005  
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