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RD38F1030W0ZTQ0

更新时间： 2024-09-27 20:02:19

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	706K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, CSP-88

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RD38F1030W0ZTQ0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：	88	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	CONTAINS 16 MBIT SRAM, ALSO CONTAINS 64 MBIT FLASH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
JESD-609代码：	e0	长度：	10 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM
功能数量：	1	端子数量：	88
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8,3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

RD38F1030W0ZTQ0 数据手册

Intel^®Wireless Flash Memory

(W18/W30 SCSP)

32WQ and 64WQ Family with Asynchronous RAM

Datasheet

Product Features

■ Device Architecture

■ Flash Performance

—Flash Density: 32-Mbit, 64-Mbit

—65 ns initial access at 1.8 V I/O

—Async PSRAM Density: 8-, 16-, 32-

Mbit; Async SRAM Density: 4-, 8-, 16-

Mbit

—70 ns initial access at 3.0 V I/O

—25 ns async page at 1.8 V or 3.0 V I/O

—14 ns sync reads (t_CHQV) at 1.8 V I/O

—20 ns sync reads (t_CHQV) at 3.0 V I/O

—Top, Bottom or Dual flash parameter

configuration

—Enhanced Factory Programming:

3.10 µs/Word (Typ)

■ Device Voltage

—Flash V_CC= 1.8 V; Flash V_CCQ= 1.8 V

or 3.0 V

■ Flash Architecture

—Read-While-Write/Erase

—Asymmetrical blocking structure

—RAM V_CC= 3.0 V; RAM V_CCQ= 1.8 V

or 3.0 V

—4-KWord parameter blocks (Top or

Bottom); 32-KWord main blocks

■ Device Packaging

—88 balls (8 x 10 active ball matrix);

Area: 8x10 mm; Height: 1.2 mm to 1.4

—4-Mbit partition size

—128-bit One-Time Programmable (OTP)

Protection Register

■ PSRAM Performance

—70 ns initial access, 25 ns async page

reads at 1.8 V I/O

—Zero-latency block locking

—Absolute write protection with block

lock using F-VPP and F-WP#

—70 ns initial access async PSRAM at

1.8V I/O

■ Flash Software

—Intel^®Flash Data Integrator (FDI) and

Common Flash Interface (CFI)

—88 ns initial access, 30 ns async page

reads at 1.8 V I/O

—85 ns initial access, 35 ns async page

reads at 3.0 V I/O

■ Quality and Reliability

—Extended Temperature: –25 °C to +85 °C

—Minimum 100K flash block erase cycle

—90 nm ETOX™ IX flash technology

—130 nm ETOX™ VIII flash technology

—70 ns initial access, 25 ns async page

reads at 3.0 V I/O

■ SRAM Performance

—70 ns initial access at 1.8 V or 3.0 V I/O

The Intel^®Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP) family offers various flash plus static

RAM combinations in a common package footprint. The flash memory features 1.8 V low-

power operations with flexible, multi-partition, dual-operation Read-While-Write / Read-While-

Erase, asynchronous, and synchronous reads. This SCSP device integrates up to two flash die,

one PSRAM die, and one SRAM die in a low-profile package compatible with other SCSP

families with QUAD+ ballout.

Order Number: 251407, Revision: 010

18-Oct-2005

12 3 4 5 6 7...54

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