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RD38F1030W0YUQ0

更新时间： 2024-09-28 07:28:51
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 684K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,

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RD38F1030W0YUQ0 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FBGA, BGA88,8X12,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.77最长访问时间：70 ns
JESD-30 代码：R-PBGA-B88内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：FLASH+PSRAM端子数量：88
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, FINE PITCH电源：1.8 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.00011 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.035 mA
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：HYBRID端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

RD38F1030W0YUQ0 数据手册

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Numonyx™ Wireless Flash Memory  
(W18 SCSP)  
128-Mbit W18 Family with Synchronous PSRAM  
Datasheet  
Product Features  
„ Device Architecture  
„ Flash Performance  
— Flash Die Density: 32, 64 or 128-Mbit  
— PSRAM Die Density: 16 or 32-Mbit  
— x16 Non-Mux or ADMux I/O Interface Option  
— Bottom or Top Flash Parameter  
Configuration  
— 60 ns Initial Read Access;  
20 ns Asynchronous Page-Mode Read  
— Up to 66 MHz with 11 ns Clock-to-Data  
Output Synchronous Burst-Mode Read  
— Enhanced Factory Programming Modes:  
3.1 µs/Word (Typ)  
„ Device Voltage  
„ Flash Architecture  
— Core: VCC = 1.8 V  
— I/O: VCCQ = 1.8 V  
„ Device Packaging  
— Ballout: QUAD+ (88 Balls)  
— Area: 8x10 mm  
— Read-While-Write/Erase  
— Asymmetrical blocking structure  
— 4-KWord parameter blocks (Top or Bottom)  
— 32-KWord main blocks  
— 4-Mbit partition size  
— 128-bit One-Time Programmable (OTP)  
Protection Register  
— Zero-latency block locking  
— Absolute write protection with block lock  
using F-VPP and F-WP#  
— Height: 1.2 mm  
„ PSRAM Performance  
— 70 ns Initial Read Access;  
20 ns Asynchronous Page-Mode Read  
— Up to 66 MHz with 9 ns Clock-to-Data  
Synchronous Burst-Mode Reads and Writes  
— Configurable 4-, 8-, 16- and Continuous-  
Word Burst-Length Reads and Writes  
— Partial-Array Self and Temperature-  
Compensated Refresh  
„ Flash Software  
— Numonyx™ FDI, Numonyx™ PSM, and  
Numonyx™ VFM  
— Common Flash Interface  
— Basic and Extended Flash Command Set  
„ Quality and Reliability  
— Programmable Output Impedance  
— Extended Temperature –25 °C to +85 °C  
— Minimum 100K Flash Block Erase cycles  
— 90 nm ETOX ™ IX Flash Technology  
— 130 nm ETOX™ VIII Flash Technology  
Order Number: 311760-10  
November 2007  
1234567...54

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与RD38F1030W0YUQ0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RD38F1030W0ZBQ0 NUMONYX

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RD38F1030W0ZBQ0 INTEL

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 		Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, C
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