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RD38F1030W0YTQ2

更新时间： 2023-05-15 00:00:00

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恒忆 - NUMONYX		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
46页	652K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA88,

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RD38F1030W0YTQ2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA, BGA88,8X12,32
针数：	88	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.44
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	CONTAINS 16 MBIT SRAM, ALSO CONTAINS 64 MBIT FLASH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B88	JESD-609代码：	e0
长度：	10 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+PSRAM+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	88	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA88,8X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8,3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

RD38F1030W0YTQ2 数据手册

Numonyx™ Wireless Flash Memory

(W18/W30 SCSP)

32WQ and 64WQ Family with Asynchronous RAM

Datasheet

Product Features

Device Architecture

Flash Performance

— Flash Density: 32-Mbit, 64-Mbit

— Async PSRAM Density: 16-Mbit, 32-Mbit

— 65 ns initial access at 1.8 V I/O

— 70 ns initial access at 3.0 V I/O

— Top, Bottom or Dual flash parameter

configuration

Device Voltage

— 25 ns async page at 1.8 V or 3.0 V I/O

— 14 ns sync reads (t_CHQV) at 1.8 V I/O

— 20 ns sync reads (t_CHQV) at 3.0 V I/O

— Flash VCC = 1.8 V; Flash VCCQ = 1.8 V or 3.0 V

— RAM VCC = 1.8 V or 3.0 V

Device Packaging

— Enhanced Factory Programming:

3.10 µs/Word (Typ)

Flash Architecture

— 88 balls (8 x 10 active ball matrix)

— Area: 8x10 mm

— Read-While-Write/Erase

— Asymmetrical blocking structure

— Height: 1.2 mm to 1.4 mm

PSRAM Performance

— 4-KWord parameter blocks (Top or

Bottom)

— 32-KWord main blocks

— 4-Mbit partition size

— 70 ns initial access, 25 ns async page reads at

1.8 V I/O

— 70 ns initial access async PSRAM at 1.8 V

I/O

— 128-bit One-Time Programmable

(OTP) Protection Register

— 70 ns initial access, 25 ns async page

reads at 3.0 V I/O

SRAM Performance

— Zero-latency block locking

— Absolute write protection with block

lock using F-VPP and F-WP#

— 70 ns initial access at 1.8 V or 3.0 V I/O

Quality and Reliability

Flash Software

— Numonyx™ Flash Data Integrator

(FDI) and Common Flash Interface

(CFI)

— Extended Temperature: –25 °C to +85 °C

— Minimum 100K flash block erase cycle

— 90 nm ETOX™ IX flash technology

— 130 nm ETOX™ VIII flash technology

Order Number: 251407-13

November 2007

12 3 4 5 6 7...46

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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RD38F1030W0ZBQ0	NUMONYX	获取价格	Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
RD38F1030W0ZBQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, C
RD38F1030W0ZDQ0	NUMONYX	获取价格	Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
RD38F1030W0ZTQ0	INTEL	获取价格	Memory Circuit, Flash+PSRAM+SRAM, 4MX16, CMOS, PBGA88, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, STACK, C
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