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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.92 |
| 配置： | SINGLE | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 30 Ω | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散： | 400 W |
| 标称参考电压： | 15 V | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES | 最大电压容差： | 6.1% |
| 工作测试电流： | 5 mA |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RD15FM-T2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),6.1%,DO-214AC / SMA |
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| RD15FS | NEC |
获取价格 |
Zener Diode, 15V V(Z), 6.12%, 1W, Silicon, Unidirectional, |
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| RD15FS-T2-AY | RENESAS |
获取价格 |
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-219AB |
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| RD15HVF1 | MITSUBISHI |
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Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W |
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| RD15HVF1_08 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W |
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| RD15HVF1_10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W |
|
| RD15HVF1_11 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W |
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| RD15HVF1-101 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
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| RD15HVF1-101G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| RD15JB | NEC |
获取价格 |
Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
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