Datasheet > RD15HVF1-101G

RD15HVF1-101G

更新时间： 2024-11-20 15:49:23

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		/
页数	文件大小	规格书
9页	404K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RD15HVF1-101G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	48 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

RD15HVF1-101G 数据手册

MITSUBISHI RF POWER MOS FET

ELECTROSTATIC SENSITIVE DEVICE

OBSERVE HANDLING PRECAUTIONS

RD15HVF1

RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W

OUTLINE DRAWING

DESCRIPTION

1.3±0.4

RD15HVF1 is a MOS FET type transistor specifically

designed for VHF/UHF High power amplifiers applica

-tions.

9.1±0.7

3.6±0.2

FEATURES

High power and High Gain:

Pout>15W, Gp>14dB @Vdd=12.5V,f=175MHz

Pout>15W, Gp>7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz

High Efficiency: 60%typ. on VHF Band

High Efficiency: 55%typ. on UHF Band

1.2±0.4

note(3)

0.8±0.15

0.62±0.2

2.5 2.5

APPLICATION

For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF

Band mobile radio sets.

PINS

5deg

1:GATE

2:SOURCE

3:DRAIN

4:FIN(SOURCE)

9.5MAX

note:

(1)Torelance of no designation means typical value.

Dimension in mm.

RoHS COMPLIANT

(2)

:Dipping area

RD15HVF1-101 is a RoHS compliant products.

RoHS compliance is indicate by the letter “G” after

the lot marking.

:Copper of the ground work is exposed in case of frame separation.

(3)

This product include the lead in high melting temperature type solders.

How ever,it applicable to the following exceptions of RoHS Directions.

1.Lead in high melting temperature type solders(i.e.tin-lead solder alloys containing more than85% lead.)

RD15HVF1

10 Jan 2006

MITSUBISHI ELECTRIC

1/9

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与RD15HVF1-101G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RD15JB	NEC	获取价格	Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
RD15JS	NEC	获取价格	DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode
RD15JS	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD15JSAB	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD15JSAB1	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD15JSAB1-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-34
RD15JSAB1-T4-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-34
RD15JSAB2	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES
RD15JSAB2-AZ	RENESAS	获取价格	ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-34
RD15JSAB3	EIC	获取价格	SILICON ZENER DIODES