是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.84 | 配置: | SINGLE |
二极管类型: | ZENER DIODE | 最大动态阻抗: | 30 Ω |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 最大功率耗散: | 400 W |
标称参考电压: | 15 V | 子类别: | Voltage Reference Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 最大电压容差: | 6.1% |
工作测试电流: | 5 mA |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RD15FS | NEC |
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Zener Diode, 15V V(Z), 6.12%, 1W, Silicon, Unidirectional, | |
RD15FS-T2-AY | RENESAS |
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ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,15V V(Z),DO-219AB | |
RD15HVF1 | MITSUBISHI |
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Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_08 | MITSUBISHI |
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RF POWER MOS FET Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1_11 | MITSUBISHI |
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RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor, 175MHz520MHz,15W | |
RD15HVF1-101 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel | |
RD15HVF1-101G | MITSUBISHI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
RD15JB | NEC |
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Zener Diode, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35, | |
RD15JS | NEC |
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DO-34 Package Low noise, Sharp Breakdown characteristics 400 mW Zener Diode |