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RBU603M-C

更新时间： 2024-11-04 19:32:15
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 局域网二极管
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5页 159K
描述
Bridge Rectifier Diode, 6A, 200V V(RRM),

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RBU603M-C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.75
最小击穿电压：200 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：6 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：200 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

RBU603M-C 数据手册

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RBU601M  
THRU  
RBU607M  
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED  
SILICON BRIDGE RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 6.0 Amperes  
FEATURES  
* Low leakage  
* Low forward voltage  
* Silver-plated copper leads  
* Surge overload rating: 150 amperes peak  
* Mounting position: Any  
RBU  
MECHANICAL DATA  
.880 (22.3)  
.860 (21.8)  
.140 (3.56)  
.130 (3.30)  
* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O  
.160 (4.1)  
.140 (3.5)  
.512 (13.0)  
.085 (2.16)  
.075 (1.90)  
.100 (2.54)  
.085 (2.16)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
.022 (0.56)  
.018 (0.46)  
.080 (2.03)  
.065 (1.65)  
.210 (5.33)  
.190 (4.83)  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
RATINGS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
SYMBOL RBU601M RBU602M RBU603M RBU604M RBU605M RBU606M RBU607M  
UNITS  
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
Volts  
Volts  
Volts  
RRM  
RMS  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
100  
1000  
DC  
O
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
Amps  
Amps  
at T = *100oC (Note 4)  
6.0  
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
150  
FSM  
R
3.5  
26  
θ JC  
θ JA  
Typical Thermal Resistance (Note 1)  
0C/W  
0 C  
R
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
J STG  
-55 to + 150  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T =25 C unless otherwise noted)  
A
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
RBU601M  
RBU605M RBU606M RBU607M  
RBU602M RBU603M RBU604M  
1.1  
UNITS  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 6.0A DC  
V
F
@T = 25oC  
A
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
5.0  
I
R
uAmps  
@T = 125oC  
A
300  
NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.  
2. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
3. Equivalent to Vishay's GBU6 Series.  
2013-04  
REV:  
A
4. "*" Heat Sink Temperature.  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RBU604M RECTRON

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 		SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
RBU604M-B-HF RECTRON

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 		Rectifier Diode,
RBU604M-C RECTRON

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 		Bridge Rectifier Diode, 6A, 400V V(RRM),
RBU604M-C-HF RECTRON

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 		Rectifier Diode,
RBU605M RECTRON

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