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RBU605M-C

更新时间： 2024-11-06 19:32:15

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RECTRON		局域网二极管
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5页	159K
描述
Bridge Rectifier Diode, 6A, 600V V(RRM),

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RBU605M-C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.73
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	150 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

RBU605M-C 数据手册

RBU601M

THRU

RBU607M

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED

SILICON BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 6.0 Amperes

FEATURES

* Low leakage

* Low forward voltage

* Silver-plated copper leads

* Surge overload rating: 150 amperes peak

* Mounting position: Any

RBU

MECHANICAL DATA

.880 (22.3)

.860 (21.8)

.140 (3.56)

.130 (3.30)

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

.160 (4.1)

.140 (3.5)

.512 (13.0)

.085 (2.16)

.075 (1.90)

.100 (2.54)

.085 (2.16)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

.022 (0.56)

.018 (0.46)

.080 (2.03)

.065 (1.65)

.210 (5.33)

.190 (4.83)

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (@ T

=25 C unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

SYMBOL RBU601M RBU602M RBU603M RBU604M RBU605M RBU606M RBU607M

UNITS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Volts

RRM

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

Amps

at T = *100^oC (Note 4)

6.0

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

150

FSM

3.5

θ JC

θ JA

Typical Thermal Resistance (Note 1)

⁰C/W

⁰C

Operating and Storage Temperature Range

T , T

J STG

-55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T =25 C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

RBU601M

RBU605M RBU606M RBU607M

RBU602M RBU603M RBU604M

1.1

UNITS

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 6.0A DC

@T = 25^oC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

5.0

uAmps

@T = 125^oC

300

NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.

2. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".

3. Equivalent to Vishay's GBU6 Series.

2013-04

REV:

4. "*" Heat Sink Temperature.

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RBU605M-C-HF	RECTRON	获取价格	暂无描述
RBU606M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
RBU606M-B-HF	RECTRON	获取价格	暂无描述
RBU606M-C	RECTRON	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 6A, 800V V(RRM),
RBU607M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
RBU607M-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU607M-B-HF	RECTRON	获取价格	暂无描述
RBU607M-C	RECTRON	获取价格	暂无描述
RBU801M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR
RBU801M_10	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR

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