RBU406M-C

更新时间： 2024-10-30 13:12:51

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描述
Bridge Rectifier Diode, 4A, 800V V(RRM),

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RBU406M-C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	其他特性：	UL LISTED
最小击穿电压：	800 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	150 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	4 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：	800 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

RBU406M-C 数据手册

RBU401M

THRU

RBU407M

SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED

SILICON BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURRENT 4.0 Ampere

FEATURES

* Ideal for printed circuit board

* Surge overload rating: 130 amperes peak

* Mounting position: Any

RBU

.880 (22.3)

.860 (21.8)

MECHANICAL DATA

* UL listed the recognized component directory,file #E252754

* Epoxy: Device has UL flammability classification 94V-O

.140 (3.56)

.130 (3.30)

.160 (4.1)

.140 (3.5)

.512 (13.0)

.085 (2.16)

.075 (1.90)

.100 (2.54)

.085 (2.16)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

.022 (0.56)

.018 (0.46)

.080 (2.03)

.065 (1.65)

.210 (5.33)

.190 (4.83)

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS (@ T

=25 C unless otherwise noted)

RATINGS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

SYMBOL RBU401M RBU402M RBU403M RBU404M RBU405M RBU406M RBU407M

UNITS

Volts

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

RRM

RMS

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified Current

Amps

at T = 50^oC

4.0

Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC method)

Amps

130

FSM

Typical Junction Capacitance (Note 3)

4.2

θ JC

θ JA

Typical Thermal Resistance (Note 1)

⁰C/W

⁰C

Operating and Storage Temperature Range

T , T

J STG

-55 to + 150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T =25 C unless otherwise noted)

CHARACTERISTICS

SYMBOL

RBU401M

RBU405M RBU406M RBU407M

RBU402M RBU403M RBU404M

1.1

UNITS

Volts

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 4.0A DC

@T = 25^oC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

2.0

µAmps

@T = 125^oC

500

NOTES : 1. Thermal Resistance : Heat-sink case mounted or if PCB mounted.

2. "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".

3. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 voltage.

4. Equivalent to Vishay's GBU4 Series.

2006-12

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RBU406M-C-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU407	ASEMI	获取价格	整流桥
RBU407M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER VOLTAGE RANGE 50 to 1000 Volts CURR
RBU407M-B	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU407M-B-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU407M-C-HF	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
RBU601M	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
RBU601M_10	RECTRON	获取价格	SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER
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