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RBQ20T65A

更新时间： 2024-09-23 12:20:39

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RBQ20T65A 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RBQ20T65A

lApplications

ꢀꢀ lDimensions (Unit : mm)

lStructure

General rectification

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

lFeatures

1)Cathode common type.

2)Low I_R

3)High reliability

①

1.2

lConstruction

1.3

0.8

Silicon epitaxial planer

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

ROHM : TO220FN

Manufacture Date

①

lAbsolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

100

150

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to +150

(*1) Rating of per diode : Io/2

lElectrical characteristics (Tj=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

Forward voltage

V_F

I_R

I_F=10A

V_R=65V

0.69

300

Reverse current

www.rohm.com

2011.11 - Rev.A

1/4

12 3 4 5

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