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RBQ30NS65A

更新时间： 2024-02-16 07:46:48

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
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Schottky Barrier Diode

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RBQ30NS65A 数据手册

Data Sheet

Schottky Barrier Diode

RBQ30NS65A

lApplications

ꢀꢀlDimensions (Unit : mm)

ꢀ lLand size figure (Unit : mm)

General rectification

BQ30NS

65A

lFeatures

①

1)Cathode Common Dual type.(LPDS)

2)Low I_R.

lConstruction

lStructure

Silicon epitaxial planer

ROHM : LPDS

JEITA : TO263S

①

Manufacture Year, Week and Day

①

②

③

lTaping dimensions (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Limits

Symbol

V_RM

Unit

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc) (*2)

Junction temperature

I_FSM

100

150

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to +150

(*1) 60Hz half sin wave, 1/2 Io per diode.

(*2) 60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive at Tj=25°C.

lElectrical characteristics (Tj=25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

Symbol

Min.

Typ. Max.

Unit

V_F

I_R

I_F=15A

0.69

0.45

V_R=65V

Reverse current

www.rohm.com

2011.11 - Rev.A

1/4

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