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RBQ30T45ANZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:13

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
8页	596K
描述
RBQ30T45ANZ是一般整流用途的低IR肖特基势垒二极管。

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RBQ30T45ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

RBQ30T45ANZ

Data Sheet

lStructure

lApplication

lDimensions (Unit : mm)

4.5±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

General rectification

2.8±0.2

ꢀꢀꢀ 0.1

10.0±0.3

ꢀꢀꢀ 0.1

lFeatures

1) Cathode common type.

Low I_R

3) High reliability

1.2

1.3

0.8

lConstruction

(1) (2) (3)

0.7±0.1

0.05

2.6±0.5

Silicon epitaxial planar

ROHM TO220FN

Manufacture Date

lPackage Dimensions (Unit : mm)

540

lAbsolute maximum ratings (Tc= 25°C)

Parameter

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

Reverse voltage (repetitive)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz・1cyc)

Junction temperature

I_FSM

100

150

°C

Storage temperature

Tstg

-40 to +150

(*1) Rating of per diode : Io/2

lElectrical characteristics (Tj = 25°C)

Parameter

Conditions

I_F=15A

V_R=45V

Symbol Min. Typ. Max.

Unit

V_F

I_R

Forward voltage

Reverse current

0.65

450

www.rohm.com

2016.09 - Rev.A

1/5

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