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RBQ30TB45BNZ

更新时间： 2023-09-03 20:25:12

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	1328K
描述
RBQ30TB45BNZ是适合一般整流用途的肖特基势垒二极管。

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RBQ30TB45BNZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

Datasheet

RBQ30TB45BNZ

Application

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Switching power supply

Features

(1)

Cathode

(3)

Anode

1) Power Mold Type

2) High reliability

Low I_R

ROHM : TO-220FN (2pin)

: Manufacture Date

Construction

Silicon epitaxial planar type

Package Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin Wave, resistive load,

T_c=100°C Max.

Average forward rectified current

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle

Non-repetitive forward current surge peak I_FSM

100

150

T_j

Operating junction temperature

°C

T_stg

Storage temperature

55 to 150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=30A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.53 0.59

100 350

V_R=45V

I_R

Reverse current

A

R_th(j-c)

Junction to case

Thermal resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.07 - Rev.B

1/4

12 3 4 5 6 7

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