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RBQ30T65ANZ

更新时间： 2023-09-03 20:33:06

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		二极管
页数	文件大小	规格书
7页	718K
描述
RBQ30T65ANZ是一般整流用途的低IR肖特基势垒二极管。

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RBQ30T65ANZ 数据手册

Schottky Barrier Diode

RBQ30T65ANZ

Datasheet

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Structure

Switching power supply

φ3.2±0.2

Features

Power mold type (TO-220FN)

(1)

Anode

(2)

(3)

Cathode Anode

2) Cathode common dual type

3) High reliability

①

Low I_R

ROHM : : TO-220FN

①

: Manufacture date

Construction

Silicon epitaxial planar type

Packing Dimensions (Unit : mm)

540

Absolute Maximum Ratings (T_c= 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

Limits

Unit

V_RM

V_R

I_o

Duty≦0.5

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct Reverse Voltage

60Hz half sin wave, resistive load,

I_O/2 per diode, T_c= 80°C Max.

60Hz half sin wave, Non-repetitive at

T_a=25°C, 1cycle, per diode

Average forward rectified current

Non-repetitive forward current surge peak I_FSM

100

150

T_j

Operating junction temperature

Storage temperature

°C

T_stg

−55 to +150 °C

Electrical and Thermal Characteristics (T_j= 25°C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=15A

Symbol

V_F

Min. Typ. Max. Unit

0.64 0.69

V_R=60V

I_R1

120 μA

200 μA

Reverse current

V_R=65V

I_R2

R_th(j-c)

Junction to case

Thermal resistance

°C/W

www.rohm.com

2017.08 - Rev.B

1/4

12 3 4 5 6 7

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