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RBQ30NS45AFHTL

更新时间: 2024-01-18 12:10:50
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 二极管
页数 文件大小 规格书
8页 988K
描述
Rectifier Diode,

RBQ30NS45AFHTL 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SC-83, TO-263S, 3/2 PINReach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:12 weeks风险等级:1.61
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.65 VJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:15 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:45 V最大反向电流:200 µA
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

RBQ30NS45AFHTL 数据手册

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Schottky Barrier Diode  
Datasheet  
RBQ30NS45A  
Application  
Dimensions (Unit : mm)  
Land size figure (Unit : mm)  
General rectification  
Features  
1) Cathode common dual type  
(LPDS)  
LPDS  
Low IR  
2)  
Structure  
Cathode  
Construction  
Silicon epitaxial planar  
Anode Anode  
Taping specifications (Unit : mm)  
Absolute maximum ratings (Tc= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
VRM  
VR  
Limits  
Unit  
V
45  
45  
Reverse voltage (repetitive)  
Reverse voltage (DC)  
V
30  
Average rectified forward current (*1)  
Forward current surge peak (60Hz1cyc) (*2)  
Io  
A
IFSM  
Tj  
100  
A
150  
Junction temperature  
°C  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
40 to 150  
(*1) 60Hz half sin wave, 1/2 Io per diode.  
(*2) 60Hz half sin wave, one cycle, non-repetitive at Tj=25°C.  
Electrical characteristics (Tj = 25°C)  
Parameter  
Conditions  
IF=15A  
VR=45V  
Symbol Min. Typ. Max.  
Unit  
V
VF  
IR  
Forward voltage  
Reverse current  
-
-
-
-
0.65  
0.45  
mA  
www.rohm.com  
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2016.11 - Rev.C  
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