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RB205T-40HZC9

更新时间： 2024-11-05 20:55:31

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罗姆 - ROHM		局域网测试二极管
页数	文件大小	规格书
6页	999K
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Rectifier Diode,

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RB205T-40HZC9 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	1.45
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.55 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	7.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
参考标准：	AEC-Q101	最大重复峰值反向电压：	45 V
最大反向电流：	300 µA	反向测试电压：	40 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

RB205T-40HZC9 数据手册

Schottky barrier diode

Data Sheet

RB205T-40HZ

AEC-Q101 Qualified

Structure

Applications

Dimensions (Unit : mm)

Switching power supply

Features

1) Cathode common type.

(TO-220)

(1) (2) (3)

2) Low I_R

3) High reliability

205

Construction

Silicon epitaxial planer

●Packing Dimensions (Unit : mm)

540

34.5

Absolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Limits

Symbol

V_RM

V_R

Unit

Reverse voltage (repetitive peak)

Reverse voltage (DC)

Average rectified forward current (*1)

Forward current surge peak (60Hz / 1cyc) (*1)

Junction temperature

100

I_FSM

150

C

Storage temperature

40 to 150

Tstg

(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Tc=125C

Electrical characteristic (Ta=25°C)

Parameter

Conditions

Symbol

V_F

Min.

Typ.

Max.

0.55

300

Unit

Forward voltage

Reverse current

I_F=7.5A

I_R

V_R=40V

A

Thermal impedance

junction to case

jc

C/W

www.rohm.com

2016.09 - Rev.A

1/3

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