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RB160L-60

更新时间： 2024-11-26 22:31:43

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罗姆 - ROHM		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	64K
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Schottky barrier diode

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RB160L-60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.71	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.58 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

RB160L-60 数据手册

RB160L-60

Diodes

Schottky barrier diode

RB160L–60

!Applications

!External dimensions (Units : mm)

High frequency rectification

For switching power supply.

1.5 0.2

CATHODE MARK

!Features

+0.02

−0.1

1) Compact power mold (PMDS)

0.1

2) Low V . (V =0.55V Typ. at 1A)

3) High reliability

2.0 0.2

2.6 0.2

ROHM : PMDS

EIAJ : −

Date of manufacture EX. RB160L-60→4,4

Manufacture years EX. 1999.7→9,7

!Construction

JEDEC : SOD-106

Silicon epitaxial Planar

!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Peak reverse voltage

DC reverse voltage

Mean rectifying current

Symbol

Limits

Unit

Peak forward surge current

Junction temperature

FSM

125

°C

Storage temperature

Tstg

−40 ∼ +125

* When mounted on a PCBs board

!Electrical characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Forward voltage

Reverse current

Symbol

Min.

−

Typ.

−

Max.

0.58

0.5

Unit

Conditions

= 1.0A

= 60V

−

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